首页 期刊 中国科技成果 22纳米集成电路核心工艺技术及应用 【正文】

22纳米集成电路核心工艺技术及应用

作者:叶甜春; 徐秋霞; 朱慧珑; 陈大鹏; 赵超; 闫江; 王文武; 霍宗亮; 李俊峰; 殷华湘; 李东三; 张建勇; 王敬 中国科学院微电子研究所; 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司; 清华大学
高新技术发展   纳米集成电路   短沟道效应   应用   工艺  

摘要:集成电路(IC)技术是现代信息社会的基石,也是高新技术发展的集中体现,在国家信息安全中发挥着重要的战略性作用。当前,器件特征尺寸已微缩到22纳米及以下,由于短沟道效应和沟道散射效应,在关键技术上面临严重挑战。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅