摘要：TB43 2004064362 大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究=An a-Si thin film diode with big current and high on/off ratio[刊,中]/耿新华(南开大学光电子所.天津(300071)).黄维海…∥光电子·激光.—2004,15(6).—640-644 报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下。获得正向电流密度大于50A/cm~3,±3V偏压时开关比接近10~5的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D-IC)中三维只读存储器(3D-ROM)的要求。介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层

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