摘要：TN248.4 2004010136 大功率半导体激光器的可靠性研究=Reliability of highpower semiconductor laser diodes[刊,中]/曹玉莲(中科院长春光机所.吉林,长春(1300220),王乐…∥发光学报.—2003,24(1).—100-102 对InGaAs/A1GaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社