摘要：通过提拉法生长了掺铈钆镓铝石榴子石结构闪烁晶体(简称GAGG∶Ce),采用扫描电镜、金相显微镜、能谱仪等手段观察和分析了晶体中容易出现的枝晶、位错、偏析、裂纹等缺陷。提出了产生缺陷的主要原因有引晶过程中的热冲击、籽晶位错的引入、提拉旋转速度以及降温工艺等因素产生的内应力。探讨了降低或控制GAGG∶Ce闪烁晶体中缺陷出现的方法。

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