摘要：利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转（multiple-cell upset,MCU）类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转（single-event upset,SEU）的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。

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