首页 期刊 有色金属工程 Al-Mg-Si合金GP区的键络结构与界面能分析 【正文】

Al-Mg-Si合金GP区的键络结构与界面能分析

作者:王庆松; 郑发农; 王兴林; 沈洋; 江安 安徽工程大学数理学院; 安徽芜湖241000
金属材料   gp区   价电子结构   界面能  

摘要:运用固体与分子经验电子理论,计算A l-Mg-S i合金L10型GP区的价电子结构,运用硬球模型,对该体系的GP区(L10型)与基体之间的界面能进行预测。计算结果表明,GP区具有较强的共价键络,是该合金时效硬化的主要原因。GP区中Mg-Mg原子之间的结合倾向最大,是时效初期GP区形成片状的内在原因。GP区随时效温度升高而键强减弱,从而热稳定性降低。GP区与基体的共格界面能比基体晶粒间的界面能低,是GP区形成和生长的有利条件。

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