摘要：利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Sn掺杂BaTiO3的电子结构和光学性质.计算结果表明,掺杂Sn元素后,体系的禁带宽度减小,能态密度向低能方向移动,费米能级进入价带,体现出p型半导体的特征.在光学性质上,与未掺杂的BaTiO3相比,掺杂后体系静折射率和静态介电常数减小;能量损失峰明显往低能区移动,且随着掺杂浓度的增大能量损失强度也有所增加.

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社