摘要：针对太空环境下粒子辐射引发的软错误已经成为芯片失效的主导原因，提出一种容软错误锁存器结构——DIL—SET。该结构在内部构建基于C单元的双模互锁结构，针对单事件翻转进行防护。ISCAS-89标准电路在UMC0．18um工艺下的实验表明，使用DIL—SET代替未经加固的静态锁存器，面积开销增加4．99％～53．47％，软错误率平均下降99％以上。

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