首页 期刊 宇航学报 高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用 【正文】

高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用

作者:李志常; 李淑媛; 刘建成; 郭继宇; 赵葵; 曹洲; 杨世宇 中国原子能科学研究院核物理所; 北京; 102413; 中国航天科技集团公司五院510所; 兰州; 730000
串列加速器   高剥离态   抗辐射加固   磁谱仪   烧毁效应  

摘要:在HI-13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束-Q3D磁谱仪焦面辐照方法.已得到的LET值为86.7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R~20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调.论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验.

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