摘要：采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O2-Sm2O3-TiO2（BNST）微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜（AFM）显示在800℃退火0．5h后的BNST薄膜晶粒形状完整；XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小；电性能测试表明，1MHz频率下BNST薄膜介电常数为77．2，介电损耗为0．25％，-55～125℃范围内介温系数为-51．8×10^-6／℃，30V偏压下漏电流密度为3．28×10^-8A／cm^2。

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