摘要：采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数K栅介质薄膜，研究了不同气体（N2、NO、N2O）淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体（MOS）电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明，湿N2退火能有效抑制界面层的生长，提高界面质量，改善栅极漏电流特性，从而得到最优的器件性能，即Al／HfTiO／n-GeMOS电容的栅介质等效氧化物厚0．81nm，K=34．5，带隙中央界面态密度为2．4×10^11cm-2·eV-1，1V栅偏压下的栅极漏电流为2．71×1^-1A·cm-2。

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