摘要：采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700 °C和450 °C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片.静电位差、光透过率测量结果表明,还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失,其光透过率也显著降低.居里温度测试表明,还原处理对晶体的居里温度没有影响.

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