摘要：采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti3SiC2陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明：所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti3SiC2质量分数,陶瓷晶粒呈现明显的层状特征。相比于未掺杂样品,通过Al掺杂途径,可显著提高Ti3SiC2陶瓷1200℃高温下的抗氧化性能,并使Ti3SiC2陶瓷的介电常数实部ε＇和虚部ε＂值大幅度增加,其在8.2～12.4 GHz频率范围的均值分别为60.8和6.28。

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