摘要：运用负离子配位多面体生长基元理论,对钛合金中自由生长的TiC晶体的生长基元及平衡形态进行了研究.根据TiC晶体结构特点及Ti晶体d轨道能级分裂、晶体键合轨道等角度分析研究,并通过TiC晶体中形成不同生长基元时可能释放的键能大小来验证等手段,分析和推断出TiC晶体在Ti熔体中自由生长时生长基元为TiC6.对TiC6生长基元的堆垛方式的研究表明TiC晶体的平衡形态应为八面体.在实际试样制备过程中,由于存在较大的过冷度和溶质分布的不均匀性,TiC晶体可能形成各种不同的形态.浮区定向凝固实验结果证明上述分析结果是正确的.

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