摘要:设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在Vdd=5V时,该电路具有6.5×10^-6V/℃的温度特性和52dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。
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