摘要：铌酸锂作为一种优良的人造非线性光学晶体,在光学频率变换、参量振荡和微纳结构制备等方面得到了研究人员的广泛关注。基于高压针尖极化法,在铌酸锂晶体表面制备了微畴结构,通过点畴和线畴结构制备试验,探究了铌酸锂畴结构制备的工艺条件。对于厚度为0.5mm、掺镁浓度为5%的z切铌酸锂晶体,在极化电压为2.7kV、占空比为25%、移动速度为15μm/s的条件下,制备出了均匀的线状畴结构。

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