摘要：利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V，输出电压为50～-200V，输出脉冲前后沿均为1．5ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3MHz，固有延迟为50ns，触发晃动小于0．2ns，体积为86mm×43mm×23mm。

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