摘要：设计了一个在0．8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源，能稳定产生0．61V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展，采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法，实现了大于59dB电源抑制比和-30～150℃范围内11．7ppm／℃的温度系数。

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