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摘要:三星宣布完成5纳米EUV开发意图与台积电争世界霸主据报道,4月17日,三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺,并已准备好投入生产。据悉,三星电子还计划于近期推出7nm产品,并在今年批量生产6nm产品。与7nm相比,三星的5纳米FinFET工艺使特定面积的晶体管数量增加了25%,性能提升10%,功耗降低20%。此外,它是三星重复利用7nm相关知识产权的成果,因此大幅减少了时间成本和落地成本。

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