摘要：提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法．该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中，避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题，并且在模型中对亚阚区的栅偏依赖现象进行建模。提高了模型描述器件退化的准确度，用基于0．25μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证，测试数据与仿真结果吻合得很好。

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