摘要：考虑二次电子的产生和散射,利用Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的低能入射电子束斑在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了电子束在抗蚀剂中的穿透深度和能量沉积的分布图.发现在能量小于2.5 keV范围内的模拟结果与实验结果相吻合,这比用传统的不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,精度更高.另外还发现电子束能量越低,曝光的分辨率和效率越高,这一结果也与实验相吻合.结果表明,二次电子的产生和散射对电子束曝光起了重要的作用,需考虑它们的影响.

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