摘要：Si（110）衬底与III族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注。详细分析了AlN和GaN薄膜与Si（110）衬底的取向关系,指出了薄膜与Si（110）衬底在[1100]AlN//[001]Si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[1120]AlN//[110]Si方向上的生长速度;综述了Si（110）衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si（110）衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶质量等优势。介绍了Si（110）衬底上氮化物薄膜基LED器件的结构和性能,并指出其应用优势、发展潜力和发展方向。最后,简单讨论了Si（110）衬底上AlN和GaN薄膜还存在的问题及面临的挑战。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社