摘要：通过化学气相沉积（CVD）工艺成功生长出少层MoS2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管（FET）的制作工艺研发。对MoS2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS2FET器件的开关比可达到1.45×10^6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1。对等离子增强化学气相沉积（PECVD）氮化硅（SiNx）工艺掺杂MoS2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiNx掺杂MoS2材料的有效性。通过控制PECVD SiNx时间工艺参数对SiNx薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiNx薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiNx掺杂MoS2材料的可控性。最后,对PECVD SiNx工艺掺杂MoS2材料的机理进行了讨论。

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