摘要：为了得到高质量的GaN材料，首先在c面蓝宝石（Al2O3）衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层，然后采用氢化物气相外延（HVPE）法在ZnO缓冲层上生长约5．2μm厚的GaN外延层，研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜（DIC）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、结晶质量和光学特性。结果表明，ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层的特性有着重要的影响，200nm厚的ZnO缓冲层最有利于高质量GaN外延层的生长。

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