摘要：介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术（MOCVD、MBE、HVPE）、衬底材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展；指出今后的研究重点是完善GaN体单晶材料的生长工艺，以利于深入研究GaN的物理特性及有效地解决衬底问题，研究缓冲层的材料、厚度、组分等以提高GaN薄膜质量。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社