首页 期刊 微纳电子技术 四针状ZnO晶须(T-ZnO)的掺杂及其气敏特性研究 【正文】

四针状ZnO晶须(T-ZnO)的掺杂及其气敏特性研究

作者:李艳霞; 王凯; 周祚万 西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室; 成都610031
四针状氧化锌晶须   掺杂   气敏特性  

摘要:采用高温固溶工艺制备了Al^3+,Fe^3+和Ag^+掺杂的T-ZnO气敏材料,并制作了烧结型厚膜气敏元件,测试了元件对H2S,NH3,C2H5OH和H2的敏感特性,研究了掺杂剂、掺杂工艺和材料形貌结构对T-ZnO材料气敏特性的影响规律。结果显示,T-ZnO材料对H2S和C2H5OH气体灵敏度较高,对H2和NH3等气体灵敏度较差;经过H2气氛热处理,掺物质的量百分数为0.1%Al^3+的T-ZnO对气体表现出很高的灵敏度,在268.5℃时,对体积分数为10^-4的H2S的灵敏度达160;同时,Al^3+掺杂工艺改善了材料对H2S和C2H5OH的恢复-响应特性。在Fe^3+掺杂ZnO样品中,出现第二相(ZnFe2O4)可以提高对气体的灵敏度。

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