首页 期刊 微纳电子技术 碳纳米管FET的研究进展 【正文】

碳纳米管FET的研究进展

作者:李和委; 王强 中国电子科技集团公司第13所,石家庄050051
碳纳米管   场效应晶体管   逻辑门   si器件  

摘要:对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的器件性能进行了讨论,并与相应的Si器件进行了比较,结果表明CNTFET对迄今传统器件具有非常竞争力;阐述了利用CNT器件制作的逻辑门电路,显示了CNTFET的集成潜力;最后指出CNTFET面临的挑战是严峻的.

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