首页 期刊 微纳电子技术 RTD多值逻辑电路原理与电路模拟 【正文】

RTD多值逻辑电路原理与电路模拟

作者:刘宏伟; 牛萍娟; 郭维廉 天津工业大学信息与通信工程学院; 天津; 300160; 天津工业大学信息与通信工程学院; 天津; 300160; 天津大学电子信息学院; 天津; 300072
多值逻辑电路   电路模拟   高电子迁移率晶体管   共振隧穿二极管   hemt  

摘要:由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的.共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有很好的应用前景.本文就多值逻辑电路中的几个典型电路用Pspice软件进行电路模拟,得到了与理论分析一致的模拟结果.

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