摘要：采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）、三维视频光学显微镜（OM）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其（0002）面上的XRD FWHM为208.80弧秒,（1012）面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术（LEO）工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.

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