摘要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p-i-n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW/cm2)的光强下曝光800-5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%.

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