首页 期刊 物理学报 非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究 【正文】

非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究

作者:胡振华; 黄德修 华中科技大学光电子工程系; 武汉; 430074; 武汉理工大学物理系; 武汉; 430063; 华中科技大学光电子工程系; 武汉; 430074
非对称耦合量子阱   量子相干   可控色散   非共振吸收   半导体  

摘要:基于V型三能级模型研究了非对称耦合量子阱(ACQW)线性吸收与色散特性.理论结果表明:在小偏置区,由沿生长方向的外加电场引起的强量子限域Stark频移导致非共振吸收,线性折射率大幅度降低,表现为色散猝灭特性.而随负偏压进一步增加,由于量子限域Stark效应消失,其吸收与色散特性则与单量子阱最低激子态相类似.这意味着ACQW具有随外加电场变化的可控色散特性.

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