摘要：利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱，对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现：当Mg掺杂剂量较小时，E2模式向低频方向漂移表明张力应力有所增加，但是摇摆曲线和A1(LO)模式半高宽减小表明薄膜质量有所提高；随着Mg掺杂剂量的增加，E2模式反向漂移表明此时薄膜中存在压力应力，同时薄膜质量有所下降．最后根据拉曼频移和应力改变进行拟合得出相应的线性表达式为Aa=-0．298+0．562·ΔE．

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