摘要：测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致发光激发谱,对两者进行了比较.从光致发光谱中发现掺碳使黄带明显增强,从光致发光激发谱中看到了掺碳引起的约3.38～2.67 eV(367～465 nn)范围内的特征激发带.利用CC曲线模型说明了特征激发带和黄带之间的关系,分析了黄带的可能起因.

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