摘要：基于含时密度泛函理论,研究了硅烯量子点的等离激元激发.沿量子点所在的平面方向,体系中有两个主要的等离激元共振带.一个等离激元共振带位于2.0 e V附近,另一个等离激元共振带位于7.0 e V附近.由于离域化的π电子参与了两个等离激元共振带的激发,沿激发方向随着矩形硅烯量子点边长的增加,体系的两个等离激元共振带都发生红移.硅烯量子点的等离激元激发还依赖于边界的构型.此外,由于六角形硅烯量子点的对称性较高,沿量子点所在平面的不同方向激发时,体系的等离激元共振模式相同.
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