摘要：准直接带隙的锗，其禁带宽度小，吸收系数大，迁移率高，更重要的是，它能与硅微电子工艺兼容，在硅基光电集成中得到了广泛的研究和应用．文章综述了硅基锗薄膜的异质外延生长及其在光电子器件（特别是长波长光电探测器和激光器）应用上的进展；介绍了在硅衬底上异质外延生长锗薄膜的缓冲层技术，如组分变化的SiGe缓冲层技术、选区外延技术和低温技术；讨论了硅基锗薄膜光电探测器的性能与结构的关系以及发展趋势；分析了张应变和n型掺杂对锗光电性质的影响；展望了硅基锗薄膜单片集成和电抽运激光器的前景．

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