摘要：采用化学气相沉积法（CVD）在Si（100）衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响.利用场发射扫描电子显微镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）、X-ray能谱仪（EDS）、光致发光谱（PL）和霍尔效应测试仪（HMS-3000）等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析.结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构；样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰；所有样品均为p型；并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析.

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