首页 期刊 无机化学学报 氧化镓纳米带的合成和发光性质研究 【正文】

氧化镓纳米带的合成和发光性质研究

作者:郭彦; 吴强; 王喜章; 胡征; 陈懿 介观化学教育部重点实验室; 江苏省纳米技术重点实验室; 南京大学化学系; 南京; 210093
纳米带   性质研究   氧化镓   ga2o3   化学气相沉积法  

摘要:采用化学气相沉积法,以碳纳米管作还原剂还原Ga2O3粉末,生成的气态Ga2O和载气Ar中的微量O2反应,在多孔氧化铝模板上沉积得到了Ga2O3纳米带.用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和选区电子衍射对产物的结构和形态进行表征,发现产物为β-Ga2O3纳米带,宽度在20~500nm之间,厚度为5~100nm,长度可达几十微米.产物中还有几微米宽的Ga2O3纳米片.光致发光谱结果表明β-Ga2O3纳米带能发射蓝光和紫外光.文中还简单推测了β-Ga2O3纳米带的形成机理.

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