首页 期刊 微电子学与计算机 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型 【正文】

考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

作者:李亦清 王子欧 李文石 李有忠 陈智 毛凌锋 苏州大学电子信息学院 江苏苏州215021
量子效应   短沟道效应   表面势  

摘要:提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明:源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重.

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