摘要：文章详细描述了二种采用0．18μm CMOS工艺的多端口单位线SRAM设计方法。与传统的6TSRAM结构相比，在写数据时增加了写节点充电信号，降低了内核CMOS器件设计的复杂度；在读数据时增加了额外的读位线放电电路，减少了读数据延迟；同时读写数据均采用电流模式。降低功耗，较好的解决了多端口SRAM存取数据时存在的问题。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社