首页 期刊 微电子学 降低高k介质层微粒污染的工艺研究 【正文】

降低高k介质层微粒污染的工艺研究

作者:强毅博; 明安杰; 陈彦伯; 何崇敏; 王玮冰 中国科学院大学微电子学院; 北京100029; 中国科学院微电子研究所; 北京100029; 有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室; 北京100088; 中芯国际集成电路制造有限公司; 上海201203
高k金属栅   原子层淀积   微粒污染  

摘要:随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变HfO2淀积过程反应物H2O、HfCl4的脉冲时间和冲洗时间的方法。当H2O的冲洗时间增加量为3000 ms时,微粒数量、杂质Cl离子含量显著降低。该工艺研究对实际工艺中高k层的可靠性、合格率的提高和生产成本的降低均有重要价值。

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