摘要：传统的改进型横向SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于ESD防护领域。但是,采用55 nm CMOS外延工艺制作的MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题。对器件版图结构进行调整,并进行多组实验,验证了器件失效机理。实验结果表明,在55 nm CMOS外延工艺下,阱的方块电阻阻值大大降低,导致主电流泄放通道难以开启,从而出现MLSCR器件不能开启的问题。

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