摘要:为了减小功率放大器的功率损耗、提高功率附加效率,基于TSMC 55nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为5GHz的高效率E类射频功率放大器。采用包含驱动级的两级电路结构,提高了电路的功率增益。对负载回路进行优化设计,改善了漏极电压与电流波形交叠的问题,进而提升了效率,同时降低了漏极电压的峰值,缓解了晶体管的击穿压力。仿真结果表明,电源电压为2.5V时,该放大器的输出功率为21.2dBm,功率附加效率为53.1%。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
热门期刊服务
影响因子:0.37
期刊级别:北大期刊
发行周期:双月刊
期刊在线咨询,1-3天快速下单!
查看更多>
超1000杂志,价格优惠,正版保障!
一站式期刊推荐服务,客服一对一跟踪服务!