首页 期刊 微电子学 一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源 【正文】

一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源

作者:侯德权; 周莉; 陈敏; 肖璟博; 刘云超; 陈杰 中国科学院微电子研究所; 北京100029; 中国科学院大学; 北京100049
基准电压源   亚阈值区   低功耗   模拟集成电路  

摘要:设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃~80℃温度范围内的温度系数为6.096×10-5/℃。

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