摘要：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比（PSRR）、高阶温度补偿的带隙基准电压源（BGR）。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前调整器技术,使得该BGR获得高PSRR特性。仿真结果表明,当温度在-55℃-125℃范围变化时,该BGR的温度系数为8.1×10^-7/℃,在10Hz、100 Hz、1kHz、10kHz、100kHz频率处的PSRR分别为-90.15、-90.13、-89.83、-81.15、-58.78dB。

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