摘要：文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上，通过引入耦合两效应的相关因子，建立了高k栅介质MOSFE了阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电压漂移的影响，获得了最佳的k值范围。

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