摘要：立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案.该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验,获得了良好的有源和无源器件特性,证明这一简洁的集成工艺方案是可行的.

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社