摘要：讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术.采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压.同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电常数的物质,深阱结构还能抑制工艺上的横向扩散,并能承受比硅材料更大的峰值电场.

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