摘要：本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端.与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容.在0.35μmCMOS工序中,有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过.带有120μm NMOS堆栈沟道的I/O端的人体模式ESD(HBM ESD)电平可以借助只有60μm/0.35μm的SNTSCR由2ky提高到8ky.

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社