摘要:室温下电子束蒸发沉积氧化钼(MoOx)薄膜呈非晶态,光学带隙约为3.6 eV,与单晶硅表面构成MoOx/c-Si异质结并具有钝化作用,但明显低于i∶α-Si∶H钝化。ITO/MoOx/i∶α-Si∶H/n∶c-Si/i∶α-Si∶H/n+∶α-Si∶H/Al太阳电池结构,既有晶硅前后表面钝化,又增加了背电场层,适当的MoOx厚度可获得电池的最高效率(15.5%);若取消晶硅表面i∶a-Si∶H钝化,与HIT(heterojunction with intrinsic thinlayer)电池类似,硅的前表面复合增大,电池效率降为11.5%;若取消背表面i∶a-Si∶H钝化及背电场材料n+∶a-Si∶H,电池效率急剧下降到8.3%,这表明背表面钝化及背电场,对MoOx/c-Si异质结太阳电池特性具有更为重要的作用,对高效器件制备具有一定指导意义。
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