首页 期刊 太阳能 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1) 【正文】

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1)

作者:向贤碧 廖显伯 中国科学院半导体研究所
多结叠层电池   高效聚光电池   外延生长技术  

摘要:介绍以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳电池的特性和研发进展。据报道,三结叠层GaInP/GaAs/Ge太阳电池已成为空间能源的主力军,四结叠层GalnP/GaAs/GalnPAs/GalnAs聚光太阳电池的效率已达46.5%。在不远的将来,实现高效(〉50%)、低成本的Ⅲ-Ⅴ族多结叠层聚光电池是有现实可能的。

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